ギガバイト Trident Z5 Royal Neo DDR5 CL26 メモリ開封レビュー

芝奇 G.SKILL 針對 AMD AM5 平台推出了超低時序、低延遲的 DDR5-6000 MT/s CL26-36-36-96 1.45V 規格，G.SKILL Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版 DDR5 6000 MT/s CL26 32GB (2x16GB) 雙通道記憶體套裝模組，內建 AMD EXPO (Extended Profiles for Overclocking) 一鍵超頻 Profile，為電腦用戶及電競玩家帶來超低延遲的高性能表現，這次會同時搭配 AMD AM5 以及 Intel 平台進行性能實測。

G.SKILL Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版 DDR5 6000 MT/s 32GB (2x16GB) 記憶體規格：

QVL 查詢序號：銀色 F5-6000J2636H16GX2-TR5NS / 金色 F5-6000J2636H16GX2-TR5NG
記憶體容量：32GB (2x16GB)
オーバークロック周波数: DDR5 6000 MT/s
超頻時序：CL26-36-36-96
オーバークロック電圧：1.45V
仕様：288ピンDDR5 UDIMM
保証：生涯保証
尺寸：133.35 x 80 x 44 mm（長度 x 厚度 x 高度）
プロファイル・パラメーター：AMD EXPO認定（オーバークロック用拡張プロファイル）

CL26 超低時序新規格 G.SKILL Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版 DDR5 CL26 記憶體開箱

DDR5 記憶體的超頻 Profile 時序規格從初期的 6000 MT/s CL40，隨著時間推進在兩家平台與記憶體模組廠的優化與更新，現在芝奇 G.SKILL 已經推進到了 CL26-36-36-96 的超低時序規格，本次的全新規格新增於皇家戟 EXPO、焰鋒戟 RGB、焰刃 RGB EXPO 等系列，G.SKILL 在記憶體低時序更新部分一直都是業界領頭羊，期許未來能看到 CL24 甚至 CL20 以下的記憶體開始量產販賣。

先前已經為各位帶來過帶有 XMP Profile 的 トライデント Z5 ロイヤル，以及內建 EXPO Profile 的 Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版，而今天開箱的則是時序規格更緊同樣也是 Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版記憶體，內建的 AMD EXPO (Extended Profiles for Overclocking) 超頻參數為 DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V，容量版本為 32GB (2x16GB) 的規格。

目前 G.SKILL 有在販售 DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V 這個 Profile 規格的容量有：32GB (2x16GB)、64GB (2x32GB)、48GB (2x24GB)、96GB (2x48GB)，是目前鋪貨量產 6000 MT/s CL26 規格最快的品牌，後續也有其他中國品牌開始跟進。

∆ Trident Z5 Royal Neo Royal Halberd EXPO Edition DDR5 メモリ。

∆ 本次開箱更低時序版本，DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V。

∆ 包裝內容物一覽。

 

筆者起初會對這個規格有興趣是因為在國外媒體網站 techpowerup.com 的文章中發現一段有趣段落，該網站開箱 G.SKILL Trident Z5 NEO RGB DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.4V 32GB (2x16GB) 時，發現 PCB 上面焊有 RAMBUS 的 CKD 晶片，但那款型號並不是以 Trident Z5 CK 炫鋒CK 這種 CUDIMM 記憶體模組的形式進行販售，而是以普通 EXPO UDIMM 記憶體型號來販售的，但這又很奇怪了，現在 AMD AM5 平台還不支援 CKD，所以使用 CUDIMM 記憶體時會自動把 CKD 晶片 by pass 關閉運作，那到底為何要這樣做呢？

而這次實際在 ASRock Z890 Taichi OCF 上檢視 SPD 資訊，發現筆者手上的 Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版 DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V 32GB (2x16GB) 又沒有 CKD 了！後來回查發現國外媒體開箱的是 1.4V 規格，但官網上該規格已經標示為「停產」，所以筆者個人猜測芝奇應該是先開了 1.4V 搭配 CKD 的規格，後續因為某些考量又把該規格 EOL 掉了吧，然後再追加 0.5V 變回普通 UDIMM 進行量產，但如果我是 PM 我就把 CL26 1.4V 加上 CKD 這個規格放在 XMP 版本的型號上使用這樣更符合邏輯。

∆ techpowerup.com 的文章內容段落。

∆ 但我手上的 Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版 DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V 32GB (2x16GB) 沒有 CKD，看來是 6000 CL26 1.4V 停產的那個規格才會有 CKD。

 

外觀部分就不再贅述可以參考前面兩篇開箱文章，記憶體本身的高度為 44 mm，因為有著好看的皇家鑽彩導光燈條，所以更建議玩家們搭配水冷裝機，避免風冷散熱器擋住皇家戟漂亮的外觀！

本次開箱的型號及規格是 Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版 DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V 32GB (2x16GB) 銀色版，QVL 查詢序號為 F5-6000J2636H16GX2-TR5NS，可以同步承認的金色是 F5-6000J2636H16GX2-TR5NG。

∆ Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版 DDR5 6000 CL26-36-36-96 1.45V。

∆ 背面規格表。

∆ ロイヤル・ダイヤモンド・カラーガイド。

 

メモリ構成はSS(Single Sided)、1R(1 Rank)レイアウトで、シングルメモリDRAM IC Count仕様は、8個の2GB(2048MB)DRAMセルで構成されています。

∆ SS (Single Sided) 單面顆粒、1R (1 Rank)、八個 2 GB(2048 MB) 顆粒。

∆SPD HUBとPMICエリアの側面図。放熱を助けるサーマルパッドが「あるはず」。

∆ 記憶體通電燈光效果展示。

 

AMD Ryzen 9 9950X3D 與 GIGABYTE B650I AORUS ULTRA 平台記憶體性能測試

DDR5メモリーをサポートするAMD Ryzen 9000プラットフォームを使用して、このメモリーがAMDプラットフォーム上でどのように動作するかを AMD Ryzen 9 9950X3D 處理器以及 GIGABYTE B650I AORUS ULTRA (rev. 1.0) 主機板，來測試G.SKILL Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版 DDR5 記憶體的性能與超頻空間，主機板 BIOS 更新至 F35 版本進行測試。

テストプラットフォーム

プロセッサー：AMD Ryzen 9 9950X3D (PBO AUTO）
ラジエーター：リアンリ・ガ・イ・ライト360 RGB(全速力)
主機板：GIGABYTE B650I AORUS ULTRA（BIOS 版本：F35）
記憶體：G.SKILL Trident Z5 Neo RGB DDR5 6000 MT/s 32GB (2x 16GB) CL 26-36-36-96 1.45V
グラフィックス：NVIDIA GeForce RTX 4060 Ti Founders Edition 8GB
オペレーティングシステム：Windows 11 Professional 24H2
システム・ドライブ：Kingston A2000 NVMe PCIe SSD 500GB
測試硬碟：Kingston FURY Renegade G5 2TB PCIe 5.0 NVMe M.2 SSD（格式化空碟）
電源：LIAN LI SP850
シャシーStreacom BC1 Mini V1 ITX Open Benchtable

 

在主機板的 BIOS 中，可以看見這組記憶體內建一個 Profile 超頻設定檔，DDR5 6000 MT/s CL26-36-36-96 1.45V 給 AMD EXPO 用。

∆ G.SKILL Trident Z5 Royal Neo DDR5 Profile 檢視，2025 第 26 周生產，Richtek JEDEC PMIC。

∆ DDR5 4800 MT/s の JEDEC 周波数。

 

由 CPU-Z 來檢視 AMD Ryzen 9 9950X3D 與 GIGABYTE B650I AORUS ULTRA 測試平台，SPD 頁面可以看到 G.SKILL Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版 DDR5 6000 MT/s 記憶體使用 SK Hynix 記憶體顆粒，支援最新 AMD EXPO (EXtended Profiles for Overclocking) 一鍵超頻 Profile。

ただし、SPD HUBに書き込まれるのはプロファイル・パラメータの1セットだけで、残りはJEDECタイミング周波数パラメータである。

∆ AMDプラットフォームCPU-Z。

 

利用する AIDA64キャッシュ＆メモリーベンチマーク 測試 G.SKILL Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版 DDR5 6000 MT/s CL26 32GB (2x16GB) 記憶體的讀寫性能，在 JEDEC 頻率 4800 MT/s 測試讀取速度為 60.5 GB/s、寫入速度為 62.1 GB/s、複製速度則是 55.7 GB/s，而延遲為 94.6 ns。

開啟 EXPO Profile 1 的 DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V 後，讀取速度為 75.8 GB/s、寫入速度為 76.2 GB/s、複製速度則是 66 GB/s，而延遲為 76.9 ns。

∆ JEDEC 周波数: DDR5-4800 CL40-40-40-77 1.1V_AMD プラットフォームのテスト結果。

∆ EXPO Profile 1: DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V_AMD 平台測試成績。

 

接著屬於手動超頻的範圍，稍微小調一下設定在保持 DDR5 6000 MT/s CL26-36-36-96 1.45V 這個參數下，進一步提升整體讀寫頻寬以及壓低延遲，讀取速度為 81.6 GB/s、寫入速度為 84.2 GB/s、複製速度則是 72.1 GB/s，而延遲為 64.6 ns。

∆ EXPO Profile 1を維持するが、手動オーバークロック設定をダウンレギュレート_AMDプラットフォームテスト結果。

 

OCCT メモリ・ベンチマーク構成 メモリをテストするベンチマーク・パフォーマンス・テストでは、メモリの読み取り性能、書き込み性能、同時読み取り/書き込みテストでの性能の3つの結果が得られます。

LATENCY / BANDWIDTH BENCHMARK CONFIGURATION は、メモリの遅延と帯域幅を表します。

∆ JEDEC 周波数: DDR5-4800 CL40-40-40-77 1.1V_AMD プラットフォームのテスト結果。

∆ JEDEC 周波数: DDR5-4800 CL40-40-40-77 1.1V_AMD プラットフォームのテスト結果。

∆ EXPO Profile 1: DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V_AMD 平台測試成績。

∆ EXPO Profile 1: DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V_AMD 平台測試成績。

 

OCCT メモリ・ベンチマーク構成 のベンチマーク性能テスト カスタム モードでは、異なるファイルサイズ（8KiBから4GiB）でテストしたときのメモリのレイテンシ、リード、ライトをグラフィカルに表示する。

 

∆ JEDEC 周波数: DDR5-4800 CL40-40-40-77 1.1V_AMD プラットフォームのテスト結果。

∆ EXPO Profile 1: DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V_AMD 平台測試成績。

 

RAMテスト・プロ・メモリー・ベンチマーク このソフトウェアは、DDR5、DDR4、DDR3、およびDDR2メモリの性能を測定するように設計されており、（1）シーケンシャル・リード、ライト、およびコピーの帯域幅／（2）ランダム・リード、ライト、およびコピーの帯域幅／（3）リード／ライト・レイテンシー／（4）異なるサイズのブロックへのランダム・アクセスのレイテンシーの性能をテストできます。

∆ JEDEC 周波数: DDR5-4800 CL40-40-40-77 1.1V_AMD プラットフォームのテスト結果。

∆ EXPO Profile 1: DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V_AMD 平台測試成績。

 

メモリの熱性能テスト

そして OCTメモリー構成 針對記憶體的壓力穩定度進行測試，手動設定軟體的記憶體負載為 99%，記憶體測試設定為記憶體 EXPO Profile 1 參數 DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V，測試場景為室內溫度 23 °C 密閉冷氣房間內進行實際測試，而數據收集則使用 HWiNFO64 收集並紀錄測試一小時後 SPD Hub 的溫度，最高溫度為 64.8 °C。

要提醒大家的是測試平台是擺在 Streacom BC1 Mini V1 ITX Open Benchtable 裸測平台上進行測試，而且記憶體沒有額外的風扇輔助散熱，但大多數的使用者會在機殼上方安裝排風風扇協助進行散熱，筆者的測試環境以及測試軟體都比日常使用更加嚴苛，因此這邊的溫度測試僅供參考。

∆ 無風扇進行 OCCT MEMORY CONFIGURATION 溫度壓力測試，SPD Hub 最高為 64.8 °C。

 

Intel Core Ultra 9 285K および ASRock Z890 Taichi OCF プラットフォームのメモリ性能テスト。

テストプラットフォーム

プロセッサー：インテル・コア・ウルトラ9 285K QS
クーラー：ヴァルキリーE360（フルスピード）
水冷ファン：LIAN LI UNI FAN P28（フルスピード）
マザーボードASRock Z890 Taichi OCF (BIOS バージョン：3.07）
記憶體：G.SKILL Trident Z5 Neo RGB DDR5 6000 MT/s 32GB (2x 16GB) CL 26-36-36-96 1.45V
グラフィックス：NVIDIA GeForce RTX 4080 Founders Edition
オペレーティングシステム：Windows 11 Professional 24H2
システムディスク：Plextor PCIe Gen3 x4 M.2 2280 SSD 512GB
ゲームディスク：XPG GAMMIX S70 PRO PCIe Gen4 x4 M.2 SSD 4TB
ケース：STREACOM BC1 Benchtable V2

 

同じ意味で CPU-Z テストベッドの仕様とすでに入手可能な情報を確認する。

∆ IntelプラットフォームのCPU-Z。

 

利用する AIDA64キャッシュ＆メモリーベンチマーク 測試 G.SKILL Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版 DDR5 6000 MT/s CL26 32GB (2x16GB) 記憶體的讀寫性能，在 JEDEC 頻率 4800 MT/s 測試讀取速度為 73 GB/s、寫入速度為 67.1 GB/s、複製速度則是 68.1 GB/s，而延遲為 106.5 ns。

開啟 EXPO Profile 1 的 DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V 後，讀取速度為 90 GB/s、寫入速度為 82.3 GB/s、複製速度則是 85.2 GB/s，而延遲為 88.4 ns。

∆ デフォルトJEDEC周波数：DDR5-4800 CL40-40-40-77 1.1V_Intelプラットフォームテスト結果。

∆ EXPO Profile 1: DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V_Intel 平台測試成績。

 

後續手動超頻至 DDR5 9600 MT/s 進行測試，讀取速度為 132 GB/s、寫入速度為 104.3 GB/s、複製速度則是 138.5 GB/s，而延遲為 87.2 ns。

∆ 手動超頻到 9600 MT/s_Intel 平台測試成績。

 

OCCT メモリ・ベンチマーク構成 メモリをテストするベンチマーク・パフォーマンス・テストでは、メモリの読み取り性能、書き込み性能、同時読み取り/書き込みテストでの性能の3つの結果が得られます。

LATENCY / BANDWIDTH BENCHMARK CONFIGURATION は、メモリの遅延と帯域幅を表します。

∆ デフォルトJEDEC周波数：DDR5-4800 CL40-40-40-77 1.1V_Intelプラットフォームテスト結果。

∆ デフォルトJEDEC周波数：DDR5-4800 CL40-40-40-77 1.1V_Intelプラットフォームテスト結果。

∆ EXPO Profile 1: DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V_Intel 平台測試成績。

∆ EXPO Profile 1: DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V_Intel 平台測試成績。

 

OCCT メモリ・ベンチマーク構成 のベンチマーク性能テスト カスタム モードでは、異なるファイルサイズ（8KiBから4GiB）でテストしたときのメモリのレイテンシ、リード、ライトをグラフィカルに表示する。

∆ デフォルトJEDEC周波数：DDR5-4800 CL40-40-40-77 1.1V_Intelプラットフォームテスト結果。

∆ EXPO Profile 1: DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V_Intel 平台測試成績。

 

RAMテスト・プロ・メモリー・ベンチマーク このソフトウェアは、DDR5、DDR4、DDR3、およびDDR2メモリの性能を測定するように設計されており、（1）シーケンシャル・リード、ライト、およびコピーの帯域幅／（2）ランダム・リード、ライト、およびコピーの帯域幅／（3）リード／ライト・レイテンシー／（4）異なるサイズのブロックへのランダム・アクセスのレイテンシーの性能をテストできます。

∆ デフォルトJEDEC周波数：DDR5-4800 CL40-40-40-77 1.1V_Intelプラットフォームテスト結果。

∆ EXPO Profile 1: DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V_Intel 平台測試成績。

 

結論

這一次開箱芝奇 G.SKILL 全新超低延遲 DDR5 記憶體雙通道模組套裝 DDR5-6000 MT/s CL26-36-36-96 1.45V 32GB (2x16GB)，G.SKILL Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版專為 AMD Ryzen 9000 系列桌上型處理器及 X870 系列晶片組主機板平台打造，在開啟內建於記憶體 SPD 內的 AMD EXPO (EXtended Profiles for Overclocking) 一鍵超頻 Profile 後，就可以輕鬆體驗 DDR5-6000 MT/s CL26 超頻性能為極限超頻用戶與高端電腦玩家提供高性能記憶體選擇。

低 CL 值對於主機板同樣有所要求，各位玩家在購買前可以先透過 QVL 查詢序號：銀色 F5-6000J2636H16GX2-TR5NS / 金色 F5-6000J2636H16GX2-TR5NG，去主機板型號官網或是 G.SKILL 官網去查詢是否已經通過 QVL 相容性驗證，會相對保守一些。

講句實話，筆者個人其實一開始是因為看到國外網站開箱 DDR5-6000 MT/s CL26-36-36-96 1.4V 是有搭載 CKD 才有興趣的，想說看看 G.SKILL 到底是為什麼想要這樣安排，但可惜該規格（1.4V 加上 CKD）已經 EOL 停產了，筆者本次拿到的 DDR5-6000 MT/s CL26-36-36-96 1.45V 32GB (2x16GB) 經過檢視已經不再搭載 CKD 了。

 

根據實測在 AMD AM5 的 GIGABYTE B650I AORUS ULTRA 測試平台上，從 JEDEC 頻率的 4800 MT/s 超頻到 6000 MT/s 後，在 AIDA64 測試中獲得了 25.2 % 讀取性能、22.7 % 寫入性能、18.4 % 複製性能提升，並進一步降低了 18.7 % 的延遲時間，後續也在保持 DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V 的規格下進一步壓低延遲至 64.6 ns。

而 Intel 的 ASRock Z890 Taichi OCF 測試平台上，在開啟 AMD EXPO Profile 後，於 AIDA64 測試中獲得了 23.2 % 讀取性能、22.6 % 寫入性能、25.1 % 複製性能提升，並進一步降低了 17 % 的延遲，後續也已兩條記憶體 (Dual-Channel mode) 模式於 1DPC(1DIMM Per Channel) 上手動超頻至 9600 MT/s 並通過跑分測試。

在一小時的溫度測試之中，G.SKILL Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版 DDR5 6000 MT/s CL26 32GB (2x16GB) 在裸測平台上進行測試，沒有額外風扇直吹記憶體的情況下 SPD Hub 最高溫度為 64.8 °C。